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芝内 孝禎*; 北野 晴久*; 前田 京剛*; 朝岡 秀人; 武 殿彦*; 志垣 一郎*; 木村 剛*; 岸尾 光二*; 和泉 恭子*; 鈴木 専弥*; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 65(10), p.3266 - 3273, 1996/00
被引用回数：16 パーセンタイル：71.31(Physics, Multidisciplinary)表面インピーダンスZ
は、超伝導体の電気学的測定に最も基本的な物理量であり、特に、その虚部(表面リアクタンス)は磁場侵入長入を与える。またそれは交流の電気伝導度の別の表現になっておりZの詳細な研究は、超伝導ギャップの対称性を判断する上で欠かせない。しかし現在に至るまで良質な単結晶が得られていなかったため
の温度依存性等の実験が混乱した状況にある。そこで我々は高純度・高品質なYBa
Cu
O
,BiSrCaCuO
,La
Sr
CuO
を用い、表面インピーダンス測定を行った。その結果、磁場侵入長の低温の温度依存性、準粒子非弾性散乱の緩和時間等、超伝導特性を明らかにした。
SrCuO single crystal岡安 悟; 数又 幸生; 田中 功*; 児島 弛直*
Physica B; Condensed Matter, 194-196, p.1881 - 1882, 1994/00
被引用回数：4 パーセンタイル：34.32(Physics, Condensed Matter)酸化物超伝導体LaSrCuO単結晶に電子線を照射して超伝導特性の変化を比べた。照射により約100ppmの点状欠陥が試料中に導入された。非可逆曲線及びヒステリシスの測定から、この照射はCuO面間に流れる超伝導電流を減らしていることがわかった。また、磁束クリープによる活性化エネルギーはg(T)
lnJに比例していることがわかった。ここでg(T)は(1-T/Tc)
という関数である。
SrCuO single crystal岡安 悟; 数又 幸生; 田中 功*; 兒嶋 弘直*
Superconductors, Surfaces and Superlattices (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 19A), 0, p.421 - 424, 1994/00
LaSrCuO単結晶に3MeVの電子線を210
e/cm
照射した。照射は室温、空気中で行った。この照射でおよそ100ppmの点状欠陥が結晶中に導入された。超伝導転移温度は36Kで照射によっても変化しなかった。照射前後で磁化の時間変化をSQUI-D磁化測定装置を用いて測定した。これらの緩和率を用いて、実効的な活性化エネルギーを臨界電流密度の関数として求めた。照射前後どちらのデータも活性化エネルギーは同じlnJの依存性を持っていて、U
(J,H)=const.g(T)ln(J/Jc)/Hの形で表される。ここでg(T)は(1-T/Tc)で表される。nは別の非可逆曲線の測定で求めたべきを用いる。
SrCuO single crystal superconductor by X-ray diffraction前田 裕司; 加藤 輝雄; 小野 文久*; 春名 勝次*; 田中 功*; 児島 弘直*
Physica C, 185-189, p.1383 - 1384, 1991/00
被引用回数：6 パーセンタイル：43.58(Physics, Applied)LaSrCuOの単結晶試料のボンド法による低温X線回折による精密格子定数の測定を行った結果、超電導転移温度近傍で格子定数に明確な変化を見い出した。即ち、超電導転移温度(T
=33K)以下では、C軸方向の格子定数は増加し、C軸に垂直な方向では減少した。本実験に用いた試料はマルチコアから提供された単結晶である。電気抵抗の測定でTは33Kであった。4.2Kから室温の温度範囲で格子定数の精密測定を行なった。超電導状態でC軸方向の格子定数が増加し、C軸に垂直な方向のそれは減少したことは、超電導に寄与する結晶は2次元的であることを示唆する。超電導状態と結晶歪場との相関について議論し、報告する。
